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M29F800AB90N1

更新时间： 2024-09-27 21:16:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 141K
描述
512KX16 FLASH 5V PROM, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M29F800AB90N1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.18最长访问时间：90 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,15
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.00015 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M29F800AB90N1 数据手册

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M29F800AT  
M29F800AB  
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)  
Single Supply Flash Memory  
■ SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 70ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 8µs per Byte/Word typical  
44  
■ 19 MEMORY BLOCKS  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 16 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte/Word Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
– Ready/Busy Output Pin  
1
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
SO44 (M)  
Figure 1. Logic Diagram  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
V
CC  
MODE  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
19  
15  
– Standby and Automatic Standby  
A0-A18  
DQ0-DQ14  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
W
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
M29F800AT  
M29F800AB  
E
G
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
RP  
– Top Device Code M29F800AT: 00ECh  
– Bottom Device Code M29F800AB: 0058h  
V
SS  
AI02198B  
July 2000  
1/22  
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F800AB90N1T STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F800AB90N1TR STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M29F800AB90N3 STMICROELECTRONICS

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 		512KX16 FLASH 5V PROM, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29F800AB90N3T STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F800AB90N3TR STMICROELECTRONICS

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 		512KX16 FLASH 5V PROM, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29F800AB90N6T STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F800AT STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
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 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F800AT70M1TR NUMONYX

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 		Flash, 512KX16, 70ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44

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