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M29F400B-55N1

更新时间： 2023-02-26 16:03:52

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
34页	2477K
描述
256KX16 FLASH 5V PROM, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M29F400B-55N1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.44	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,7	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

M29F400B-55N1 数据手册

12 3 4 5 6 7...34

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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M29F400B-55N1RTR	STMICROELECTRONICS	获取价格	256KX16 FLASH 5V PROM, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
M29F400B-55N1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
M29F400B-55N3R	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
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