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M28F420-60XM1TR

更新时间： 2024-01-06 16:40:57

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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2页	17K
描述
512KX8 FLASH 12V PROM, 60ns, PDSO44, SO-44

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技术参数
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M28F420-60XM1TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SO-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.79
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：	16	启动块：	BOTTOM
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	28.2 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	12 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.62 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
类型：	NOR TYPE	宽度：	13.3 mm
Base Number Matches：	1

M28F420-60XM1TR 数据手册

M28F420

4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Flash Memory

5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE

12V ± 5% or ± 10% PROGRAMMING

VOLTAGE

FASTACCESS TIME: 60ns

PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)

AUTOMATIC STATIC MODE

MEMORY ERASE in BLOCKS

– Boot Block (Bottom location) with hardware

write and erase protection

SO44 (M)

– Parameter and Main Blocks

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES

LOW POWER CONSUMPTION

20 YEARS DATARETENTION

– Defectivity below 1ppm/year

ELECTRONIC SIGNATURE

– ManufacturerCode: 0020h

– Device Code: 00FAh

Figure 1. Logic Diagram

DESCRIPTION

The M28F420 Flash memory is a non-volatile

memorythat may beerasedelectricallyat theblock

level and programmed by byte or by word.

DQ15A–1

Signal Names

A0-A17

A0-A16

DQ0-DQ7

DQ8-DQ14

DQ15A–1

Address Inputs

DQ0-DQ14

BYTE

Data Input / Outputs

Data Input/Output or Address Input

Chip Enable

M28F420

Output Enable

Write Enable

BYTE

Byte/Word Organization

Write Protect

Reset/Power Down/Boot Block

Unlock

AI01130E

V_PP

V_CC

V_SS

Program & Erase Supply Voltage

Supply Voltage

Ground

B28F420/808

1/2

Complete data available on DATA-on-DISC CD-ROM or at www.st.com

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