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M0863LC320

更新时间： 2024-02-12 10:05:12

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IXYS		快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
11页	417K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 863A, 3200V V(RRM), Silicon,

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M0863LC320 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
应用：	FAST RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	11000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	863 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	3200 V	最大反向恢复时间：	4.8 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

M0863LC320 数据手册

WESTCODE An IXYS Company

Notes on Ratings and Characteristics

1.0 Voltage Grade Table

Fast Recovery Diode Types M0863LC260 to M0863LC360

Voltage Grade

V_RRM

(V)

V_RSM

(V)

V_Rdc

(V)

2600

2800

3000

3200

3400

3600

2700

2900

3100

3300

3500

3600

1500

1600

1700

1800

1850

1900

2.0 De-rating Factor

A blocking voltage de-rating factor of 0.13% per °C is applicable to this device for T_jbelow 25°C.

3.0 ABCD Constants

These constants (applicable only over current range of V_Fcharacteristic in Figure 1) are the coefficients of

the expression for the forward characteristic given below:

V_F= A + B ⋅ ln(I_F) + C ⋅ I_F+ D ⋅ I_F

where I_F= instantaneous forward current.

4.0 Reverse recovery ratings

(i) Q_rais based on 50% I_rmchord as shown in Fig.(a) below.

(ii) Q_rris based on a 150µs integration time.

150µs

Q_rr= i_rr.dt

I.e.

∫

t₁

t₂

K Factor =

(iii)

Data Sheet. Types M0863LC260 to M0863LC360 Issue 1

Page 3 of 11

November, 2003

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