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LY61L6416GL-15T

更新时间： 2024-10-01 19:45:55

品牌	Logo	应用领域
台湾来扬 - LYONTEK		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	277K
描述
SRAM,

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技术参数
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LY61L6416GL-15T 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	TFBGA-48
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
最长访问时间：	15 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
长度：	8 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

LY61L6416GL-15T 数据手册

LY61L6416

64K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM

Rev. 2.0

REVISION HISTORY

Revision

Rev. 1.0

Rev. 1.1

Description

Initial Issue

Deleted Icc1 Spec.

Revised Truth Table

Issue Date

Jul.25.2004

Sep.21.2004

Rev. 1.2

Rev. 1.3

Rev. 1.4

Deleted Data Retention Waveform(2)(UB & LB controlled)

Revised the typo in Page 1

Added PKG Type : 48-ball 6mm x 8mm TFBGA

Revised Test Condition of I_SB1/I_DR

Added I Grade Spec.

Jun.20.2005

Feb.13.2006

Jun.13.2007

Rev. 1.5

Feb.4.2008

Revised V_TERMto V_T1and V_T2

Added -20ns Spec.

Added LL Spec.

Rev. 1.6

Rev. 1.7

Rev. 1.8

Mar.31.2008

Aug.7.2008

Apr.17.2009

Revised Test Condition of I_SB

FEATURES ORDERING INFORMATION

Revised

Lead free and green package available to Green package

available

ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS

Deleted T_SOLDERin

ORDERING INFORMATION

Added packing type in

Rev. 1.9

Rev. 2.0

May.6.2010

Aug.25.2010

PACKAGE OUTLINE DIMENSION

Revised

in page 11

ORDERING INFORMATION

in page 12

Lyontek Inc. ^{reserves the rights to change the specifications and products without notice.}

5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.

TEL: 886-3-6668838

FAX: 886-3-6668836

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