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LVPXA273FC0312

更新时间： 2024-01-08 22:29:06

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		外围集成电路
页数	文件大小	规格书
138页	1048K
描述
Microprocessor, 32-Bit, 312MHz, CMOS, PBGA336, 14 X 14 MM, 1.55 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, CSP-336

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LVPXA273FC0312 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA336,20X20,25
针数：	336	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	地址总线宽度：	26
位大小：	32	边界扫描：	NO
外部数据总线宽度：	32	格式：	FIXED POINT
集成缓存：	NO	JESD-30 代码：	S-PBGA-B336
长度：	14 mm	低功率模式：	YES
端子数量：	336	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA336,20X20,25
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.25,3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.55 mm
速度：	312 MHz	子类别：	Microprocessors
最大供电电压：	1.9 V	最小供电电压：	1.7 V
标称供电电压：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子形式：	BALL
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型：	MICROPROCESSOR	Base Number Matches：	1

LVPXA273FC0312 数据手册

Intel^PXA27x Processor Family

Memory Subsystem

Datasheet

Product Features

■ Device Architecture

■ Flash Architecture

—Flash die density: 128-, 256-Mbit

—LPSDRAM die density: 256-Mbit

—Flash + LPDRAM Combo (x16)

—Flash + Flash Combo (x32)

■ Device Voltage

—Core: V_CC= 1.8 V (Typ)

—I/O: V_CCQ= 1.8 V (Typ)

■ Device Packaging

—Read-While-Write or Erase

—Asymmetrical blocking structure

—8-Mbit partition sizes (128-Mbit die)

—16-Mbit partition sizes (256-Mbit die)

—16-KWord parameter blocks (Bottom)

—64-KWord main blocks

—2-Kbit One-Time Programmable (OTP)

Protection Register

—Zero-latency block locking

—Ball count: 336 balls

—Absolute write protection with block lock

down using F-VPP and F-WP#

—Area: 14x14 mm

—Height: 1.55 mm

■ Flash Performance

—85 ns initial access

■ SDRAM Architecture and Performance

—Clock rate: 104 MHz

—25 ns async page-mode read

—Four internal banks

—14 ns sync read (t_CHQV

—52 MHz CLK

)

—Burst Length: 1, 2, 4, 8, or full page

■ Quality and Reliability

—Extended Temp: –25 °C to +85 °C

—Minimum 100 K flash block erase cycle

—0.13 µm ETOX VIII flash technology

—Buffered Enhanced Factory Programming

(Buffered EFP): 5 µs/Byte (Typ)

—Buffered programming at 7 µs/Byte (Typ)

■ Flash Software

—Intel^FDI, Intel^PSM, and Intel^VFM

—Common Flash Interface (CFI)

—Basic/Extended Command Set

The Intel^®PXA27x Processor Family Memory Subsystem is a stacked device combining high-

performance Intel StrataFlash^®memory die with or without low-power SDRAM die in Intel^®

Stacked package. The flash memory features 1.8 V low-power operations with flexible multi-

partitions, dual operation Read-While-Write or Read-While-Erase, asynchronous and synchronous

reads up to 52 MHz on 0.13 µm ETOX™ VIII flash technology. The LPSDRAM memory features

1.8 V low-power operation up to 104 MHz. The PXA27x processor memory subsystem is stacked

on top of Intel^®PXA27x Processor for an optimized small form-factor package solution for

cellular and PDA applications.

Notice: This document contains preliminary information on new products in production. The

specifications are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that

you have the latest datasheet before finalizing a design.

301855-001

July 2004

12 3 4 5 6 7...138

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
LVPXA273FC0416	INTEL	Microprocessor, 32-Bit, 416MHz, CMOS, PBGA336, 14 X 14 MM, 1.55 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH,	获取价格
LVPXA273FC0520	INTEL	Microprocessor, 32-Bit, 520MHz, CMOS, PBGA336, 14 X 14 MM, 1.55 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH,	获取价格
LVR	VISHAY	Wirewound Resistors, Precision Power, Low Value, Commercial, Military, MIL-PRF-49465 Type	获取价格
LVR005	TE	PolySwitch Resettable Devices	获取价格
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