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LS422-P-DIP PDF预览

LS422-P-DIP

更新时间： 2025-08-04 20:55:07
品牌 Logo 应用领域
凌特 - Linear 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 232K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, PLASTIC, DIP-8

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LS422-P-DIP 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：DIP
包装说明：IN-LINE, R-PDIP-T8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.11
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：40 VFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：1.5 pFJESD-30 代码：R-PDIP-T8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

LS422-P-DIP 数据手册

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SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
MIN.  
TYP.  
MAX. UNITS  
CONDITIONS  
OUTPUT CONDUCTANCE  
YOSS  
YOS  
Full Conduction  
Operating  
--  
--  
--  
10  
µmho  
µmho  
VDS= 10V  
VDG= 10V  
VGS= 0  
0.1  
3.0  
ID= 30µA  
COMMON MODE REJECTION  
CMR  
CMR  
-20 log |∆VGS1-2/∆VDS  
|
--  
--  
90  
90  
--  
--  
dB  
dB  
∆VDS= 10 to 20V  
∆VDS= 5 to 10V  
ID= 30µA  
ID= 30µA  
-20 log |∆VGS1-2/∆VDS  
|
NOISE  
NF  
en  
Figure  
--  
--  
--  
1.0  
70  
dB  
V
DG= 10V  
ID= 30µA RG= 10MΩ  
f= 10Hz  
Voltage  
20  
10  
nV/√Hz VDG= 10V  
ID= 30µA f= 10Hz  
ID= 30µA f= 1kHz  
VDG= 10V  
CAPACITANCE  
CISS  
Input  
--  
--  
--  
--  
3.0  
1.5  
pF  
pF  
VDS= 10V  
VDS= 10V  
VGS= 0 f= 1MHz  
VGS= 0 f= 1MHz  
CRSS  
Reverse Transfer  
P-DIP  
TO-71  
TO-78  
(8.13)  
(7.37)  
0.320  
0.290  
Six Lead  
0.335  
0.370  
0.230  
0.209  
DIA.  
0.195  
0.175  
0.305  
0.335  
DIA.  
S1 1  
G2  
SS  
8
7
0.405  
(10.29)  
MAX.  
MAX.  
0.030  
MAX.  
0.150  
0.115  
0.165  
0.185  
0.040  
D1 2  
SS 3  
G1 4  
0.016  
0.019  
DIM. A  
6 D2  
5 S2  
MIN. 0.500  
6 LEADS  
0.019  
0.016  
0.500 MIN.  
0.050  
0.016  
0.021  
DIM. B  
SEATING  
PLANE  
DIA.  
0.200  
0.100  
0.100  
0.029  
0.045  
SOIC  
3
7
3
7
2
1
8
4
5
6
2
4
0.150 (3.81)  
0.158 (4.01)  
1
8
5
6
0.100  
1  
8
7
6
5
N/C  
S1  
45°  
45°  
D1  
G1  
2  
0.188  
0.197  
G2  
(4.78)  
(5.00)  
D2  
3
0.046  
0.036  
0.048  
0.028  
0.028  
0.034  
N/C  
S2  
4  
(5.79)  
0.228  
(6.20)  
0.244  
S1  
D1  
G1  
N/C  
G2  
D2  
S2  
N/C  
NOTES:  
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor may be impaired.  
Linear Integrated Systems 4042 Clipper Ct., Fremont, CA 94538 TEL: (510) 490-9160 • FAX: (510) 353-0261  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LS422-SOIC Linear

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, PL
LS422-TO-78 Linear

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO
LS422{P-DIP} Linear

获取价格

 		40V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC, DIP-8
LS422{SOIC} Linear

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 		40V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, SOIC-8
LS422{TO-71} Linear

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 		40V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-71
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 		40V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-78
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 		LOW LEAKAGE LOW DRIFT MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET
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