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LN184

更新时间： 2024-09-29 22:46:59

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松下 - PANASONIC		二极管
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2页	44K
描述
GaAlAs Infrared Light Emitting Diode

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LN184 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.20.00	风险等级：	5.92
配置：	SINGLE	最大正向电流：	0.09 A
JESD-609代码：	e0	功能数量：	1
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
光电设备类型：	INFRARED LED	标称输出功率：	3.5 mW
峰值波长：	880 nm	形状：	CYLINDRICAL
尺寸：	4.6 mm	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

LN184 数据手册

Infrared Light Emitting Diodes

LN184

GaAlAs Infrared Light Emitting Diode

Unit : mm

ø4.6±0.15

Light source for distance measuring systems

Glass window

Spherical lens

Features

High-power output, high-efficiency : P_O= 5 mW (typ.)

Fast response and high-speed modulation capability : t_r, t_f= 20 ns(typ.)

Infrared light emission close to monochromatics light : λ_P= 880 nm

(typ.)

2-ø0.45±0.05

Narrow directivity using spherical lenses; works well with optical

systems in auto focus systems

2.45±0.25

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

ø4.0±0.1

Parameter

Power dissipation

Symbol

Ratings

Unit

1: Anode

2: Cathode

ø5.75max.

P_D

190

Forward current (DC)

Pulse forward current

Reverse voltage (DC)

Operating ambient temperature

Storage temperature

I_F

230

I_FP

V_R

T_opr

T_stg

–25 to +85

˚C

– 40 to +100

˚C

^*Pulse conditions : Pulse of f = 10 kHz and duty cycle = 50% modulated

with pulse of f = 0.375 Hz (1.6 s) and duty cycle = 37.5%

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Radiant power

Symbol

Conditions

I_F= 100mA

min

3.5

typ

max

Unit

P_O

λ_P

∆λ

V_F

I_R

t_r

Peak emission wavelength

Spectral half band width

Forward voltage (DC)

Reverse current (DC)

Rise time

I_F= 100mA

880

I_F= 100mA

1.55

1.9

V_R= 3V

µA

I_FP= 100mA

The angle in which radiant intencity is 50%

Fall time

t_f

Half-power angle

deg.

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