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LMV112SD/NOPB

更新时间： 2024-01-29 18:20:14

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德州仪器 - TI		时钟放大器缓冲放大器放大器电路
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22页	1296K
描述
40MHz 双路时钟缓冲器 \| NGQ \| 8 \| -40 to 85

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LMV112SD/NOPB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SON
包装说明：	HVSON,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.14	放大器类型：	BUFFER
标称带宽 (3dB)：	40 MHz	JESD-30 代码：	S-PDSO-N8
JESD-609代码：	e3	长度：	3 mm
湿度敏感等级：	1	功能数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	最小输出电流：	16 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVSON
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法：	TR	峰值回流温度（摄氏度）：	260
座面最大高度：	0.8 mm	标称压摆率：	110 V/us
子类别：	Buffer Amplifier	最大压摆率：	2.1 mA
供电电压上限：	5.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.7 V
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3 mm

LMV112SD/NOPB 数据手册

LMV112

www.ti.com

SNAS297B –MAY 2005–REVISED MAY 2013

5V ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)

Unless otherwise specified, all limits are specified for T_J= 25°C, V_DD= 5V, V_SS= 0V, V_CM= 1V, Enable_1,2= V_DD, C_L= 20 pF,

R_L= 30 kΩ, C_COUPLING= 1 nF. Boldface limits apply at temperature range extremes of operating condition. See ⁽¹⁾

Symbol

Parameter

Conditions

Min⁽²⁾

Typ⁽³⁾

Max⁽²⁾

Units

Miscellaneous Performance

R_IN

C_IN

Z_IN

V_O

Input Resistance per Buffer

Enable = V_DD

Enable = V_SS

Enable = V_DD

Enable = V_SS

134

2.0

kΩ

Input Capacitance per Buffer

Input Impedance

2.0

f = 26 MHz, Enable = V_DD

f = 26 MHz, Enable = V_SS

V_IN= V_DD

7.2

8.0

Output Swing Positive

4.96

4.94

4.99

Output Swing Negative

Output Short-Circuit Current

V_IN= V_SS

Sourcing

Sinking

(6)

I_SC

-40

-28

-68

V_{en_hmin}

V_{en_lmax}

Enable High Active Minimum Voltage

Enable Low Inactive Maximum Voltage

1.2

0.6

(6) Short-Circuit test is a momentary test. Continuous short circuit operation at elevated ambient temperature can result in exceeding the

maximum allowed junction temperature of 150°C.

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