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LMV112

更新时间： 2024-01-02 05:48:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
22页 1296K
描述
Small Signal Bandwidth 40 MHz, Supply Voltage Range 2.4V to 5V

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LMV112 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SON
包装说明：HVSON,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.14放大器类型：BUFFER
标称带宽 (3dB)：40 MHzJESD-30 代码：S-PDSO-N8
JESD-609代码：e3长度：3 mm
湿度敏感等级：1功能数量：2
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C最小输出电流：16 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVSON
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法：TR峰值回流温度（摄氏度）：260
座面最大高度：0.8 mm标称压摆率：110 V/us
子类别：Buffer Amplifier最大压摆率：2.1 mA
供电电压上限：5.5 V标称供电电压 (Vsup)：2.7 V
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3 mm

LMV112 数据手册

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LMV112  
SNAS297B –MAY 2005–REVISED MAY 2013  
www.ti.com  
2.7V ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)  
Unless otherwise specified, all limits are specified for TJ = 25°C, VDD = 2.7V, VSS = 0V, VCM = 1V, Enable1,2 = VDD, CL = 20 pF,  
RL = 30 kΩ, CCOUPLING = 1 nF. Boldface limits apply at temperature range extremes of operating condition. See (1)  
.
Symbol  
ISC  
Parameter  
Conditions  
Min(2)  
Typ(3)  
Max(2)  
Units  
(6)  
Output Short-Circuit Current  
Sourcing  
Sinking  
−18  
−13  
−27  
mA  
20  
30  
16  
Ven_hmin  
Ven_lmax  
Enable High Active Minimum Voltage  
Enable Low Inactive Maximum Voltage  
1.2  
0.6  
V
(6) Short-Circuit test is a momentary test. Continuous short circuit operation at elevated ambient temperature can result in exceeding the  
maximum allowed junction temperature of 150°C.  
5V ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Unless otherwise specified, all limits are specified for TJ = 25°C, VDD = 5V, VSS = 0V, VCM = 1V, Enable1,2 = VDD, CL = 20 pF,  
(1)  
RL = 30 kΩ, CCOUPLING = 1 nF. Boldface limits apply at temperature range extremes of operating condition. See  
.
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min(2)  
Typ(3)  
Max(2)  
Units  
Frequency Domain Response  
SSBW  
FPBW  
GFN  
Small Signal Bandwidth  
Full Power Bandwidth  
Gain Flatness < 0.1 dB  
VIN = 0.63 VPP; −3 dB  
42  
31  
MHz  
MHz  
MHz  
VIN = 1.6 VPP; −3 dB  
f > 100 kHz  
4.9  
Distortion and Noise Performance  
en  
Input-Referred Voltage Noise  
Output to Input  
f = 1 MHz  
27  
90  
61  
nV/√Hz  
dB  
ISOLATION  
CT  
f = 1 MHz  
Crosstalk Rejection  
f = 26 MHz, PIN = 0 dBm  
dB  
Time Domain Response  
tr  
Rise Time  
0.1 VPP Step (10-90%), f = 1 MHz  
7
6
ns  
ns  
tf  
Fall Time  
ts  
Settling Time to 0.1%  
Overshoot  
1 VPP Step, f = 1 MHz  
0.1VPP Step, f = 1 MHz  
VIN = 1.6 VPP, f = 26 MHz  
80  
20  
120  
ns  
OS  
SR  
%
(4)  
Slew Rate  
V/µs  
Static DC Performance  
IS  
Supply Current  
Enable1,2 = VDD ; No Load  
Enable1,2 = VSS ; No Load  
DC (3.0V to 5.0V)  
3.5  
3.8  
2.5  
62  
mA  
μA  
80  
89  
PSRR  
ACL  
Power Supply Rejection Ratio  
Small Signal Voltage Gain  
58  
57  
68  
dB  
VOUT = 0.1 VPP  
0.99  
0.97  
1.01  
1.03  
1.00  
1.3  
3
V/V  
mV  
VOS  
Output Offset Voltage  
16  
17  
TC VOS  
ROUT  
Temperature Coefficient Output Offset  
µV/°C  
(5)  
Voltage  
Output Resistance  
f = 100 kHz  
f = 26 MHz  
0.5  
Ω
118  
(1) Electrical Table values apply only for factory testing conditions at the temperature indicated. Factory testing conditions result in very  
limited self-heating of the device such that TJ = TA  
.
(2) All limits are specified by testing or statistical analysis.  
(3) Typical Values represent the most likely parametric norm.  
(4) Slew rate is the average of the positive and negative slew rate.  
(5) Average Temperature Coefficient is determined by dividing the changing in a parameter at temperature extremes by the total  
temperature change.  
4
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Copyright © 2005–2013, Texas Instruments Incorporated  
Product Folder Links: LMV112  
1234567...22

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