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LMH6570MAX/NOPB

更新时间： 2024-01-29 19:55:30
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器光电二极管运算放大器复用器
页数 文件大小 规格书
29页 1389K
描述
具有 2:1 高速多路复用器的 500MHz 高速运算放大器 | D | 8 | -40 to 85

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LMH6570MAX/NOPB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.32模拟集成电路 - 其他类型：VIDEO MULTIPLEXER
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm湿度敏感等级：1
负电源电压最大值（Vsup）：-6 V负电源电压最小值（Vsup）：-3 V
标称负供电电压 (Vsup)：-3.3 V正常位置：NC
信道数量：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出：COMMON OUTPUT
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：+-3.3/+-5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm最大信号电流：0.02 A
子类别：Multiplexer or Switches最大供电电流 (Isup)：16 mA
最大供电电压 (Vsup)：6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3.91 mmBase Number Matches：1

LMH6570MAX/NOPB 数据手册

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LMH6570  
www.ti.com  
SNCS104D –APRIL 2005–REVISED DECEMBER 2014  
6.5 Electrical Characteristics ±5V  
VS = ±5 V, RL = 100 Ω, RF = 576 Ω, AV = 2 V/V, TJ = 25 °C, unless otherwise specified.  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS(1)  
MIN(2)  
TYP(3) MAX(2)  
UNIT  
FREQUENCY DOMAIN PERFORMANCE  
SSBW  
LSBW  
.1 dBBW  
DG  
−3 dB Bandwidth  
VOUT = 0.5 VPP  
500  
400  
MHz  
MHz  
MHz  
(4)  
–3 dB Bandwidth  
VOUT = 2 VPP  
0.1 dB Bandwidth  
Differential gain  
VOUT = 0.25 VPP  
150  
RL = 150 Ω, f = 4.43 MHz  
RL = 150 Ω, f = 4.43 MHz  
All Hostile, f = 5 MHz  
0.02%  
0.05  
−70  
DP  
Differential phase  
Channel to channel crosstalk  
deg  
dBc  
XTLK  
TIME DOMAIN RESPONSE  
Channel to channel switching  
time  
ns  
TRS  
Logic transition to 90% output  
8
Enable and disable times  
Rise and fall time  
Settling time to 0.05%  
Overshoot  
Logic transition to 90% or 10% output.  
10  
2.4  
ns  
ns  
ns  
TRL  
TSS  
OS  
SR  
4 V Step  
2 V Step  
17  
2 V Step  
4 V Step(4)(5)  
5%  
Slew rate  
2200  
V/μs  
DISTORTION  
HD2  
HD3  
2nd Harmonic distortion  
3rd Harmonic distortion  
3rd Order intermodulation  
products  
2 VPP , 5 MHz  
2 VPP , 5 MHz  
−68  
−84  
dBc  
dBc  
dBc  
IMD  
10 MHz, Two tones 2 Vpp at output  
−80  
EQUIVALENT INPUT NOISE  
VN  
Voltage  
Current  
>1 MHz, Input Referred  
>1 MHz, Input Referred  
5
5
nV√HZ  
pA/√Hz  
ICN  
STATIC, DC PERFORMANCE  
±0.005% ±0.034%  
±0.036%  
Channel to channel gain  
difference  
DC, Difference in gain  
between channels  
CHGM  
-40°C ≤ TJ ≤ 85°C  
-40°C ≤ TJ ≤ 85°C  
1
±15  
±21  
mV  
VIO  
Input offset voltage  
Offset voltage drift(6)  
Input bias current(7)  
Bias current drift(6)  
VIN = 0 V  
DVIO  
IBN  
30  
µV/°C  
µA  
−3  
±8  
VIN = 0 V  
-40°C ≤ TJ ≤ 85°C  
±10  
DIBN  
11  
nA/°C  
(1) Electrical Table values apply only for factory testing conditions at the temperature indicated. Factory testing conditions result in very  
limited self-heating of the device such that TJ = TA. No specification of parametric performance is indicated in the electrical tables under  
conditions of internal self heating where TJ > TA. See Thermal Information for information on temperature de-rating of this device.  
Min/Max ratings are based on product testing, characterization and simulation. Individual parameters are tested as noted.  
(2) Limits are 100% production tested at 25°C. Limits over the operating temperature range are ensured through correlation using Statistical  
Quality Control (SQC) methods.  
(3) Typical numbers are the most likely parametric norm.  
(4) Parameter ensured by design.  
(5) Slew Rate is the average of the rising and falling edges.  
(6) Drift determined by dividing the change in parameter at temperature extremes by the total temperature change.  
(7) Positive Value is current into device.  
Copyright © 2005–2014, Texas Instruments Incorporated  
Submit Documentation Feedback  
5
Product Folder Links: LMH6570  
12345678...29

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