生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.76 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JESD-30 代码: | O-LELF-R2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 150 V |
最大反向电流: | 0.025 µA | 表面贴装: | YES |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LL458X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 150V V(RRM), Silicon, | |
LL459 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, | |
LL459A | TRSYS |
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HIGH SPEED SILICON DIODES | |
LL459AR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, | |
LL459AX | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, | |
LL459R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, | |
LL459X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, | |
LL46 | SYNSEMI |
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SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
LL46 | DIODES |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
LL46 | VISHAY |
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Schottky Diodes |