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LH52CV1000T-85LL

更新时间: 2024-02-26 08:23:10
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 211K
描述
x8 SRAM

LH52CV1000T-85LL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:85 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

LH52CV1000T-85LL 数据手册

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