5秒后页面跳转
LB1232 PDF预览

LB1232

更新时间: 2024-01-06 20:09:10
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体晶体管达林顿晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 84K
描述
High-Voltage, High- Current Darlington Transistor Array

LB1232 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP-16针数:16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:COMPLEXJESD-30 代码:R-PDIP-T16
元件数量:7端子数量:16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

LB1232 数据手册

 浏览型号LB1232的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LB1232的Datasheet PDF文件第3页浏览型号LB1232的Datasheet PDF文件第4页 

与LB1232相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LB1233 SANYO

获取价格

High-Voltage, High- Current Darlington Transistor Array
LB1233M SANYO

获取价格

LB1233M
LB1234 SANYO

获取价格

High-Voltage, High- Current Darlington Transistor Array
LB-1234 ETC

获取价格

PRINTED CIRCUIT TRANS FORMERS
LB1235 SANYO

获取价格

High-Voltage, High-Current Darlington Driver
LB123D DCCOM

获取价格

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
LB123T DCCOM

获取价格

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
LB123T WEITRON

获取价格

NPN Epitaxial Planar Transistors
LB123TB1 CJ

获取价格

Transistor
LB123TB3 CJ

获取价格

Transistor