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L9611C

更新时间： 2024-01-01 17:06:22

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		控制器
页数	文件大小	规格书
12页	200K
描述
PWM POWER MOS CONTROLLER

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L9611C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP16,.3
针数：	16	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.83	模拟集成电路 - 其他类型：	SWITCHING CONTROLLER
控制模式：	CURRENT-MODE	控制技术：	PULSE WIDTH MODULATION
最大输入电压：	16 V	最小输入电压：	6 V
JESD-30 代码：	R-PDIP-T16	JESD-609代码：	e3
功能数量：	1	端子数量：	16
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP16,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.1 mm
子类别：	Switching Regulator or Controllers	表面贴装：	NO
切换器配置：	SINGLE	最大切换频率：	200 kHz
技术：	MOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

L9611C 数据手册

L9610C - L9611C

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_S

Max. Supply Voltage

Transient Peak Supply Voltage (R1 ≥ 100Ω):

Load Dump:

5ms ≤ t_rise≤ 10ms; τ_fFall Time Constant = 100ms; R_SOURCE≥ 0.5Ω

Field Decay:

5ms ≤ t_fall≤ 10ms; τ_rRise Time Constant = 33ms; R_SOURCE≥ 10Ω

–80

Low Energy Spike: t_rise=1µs, t_fall= 2ms, R_SOURCE≥ 10Ω

Max. Supply Current (t < 300 ms)

Input Voltage

±100

0.3

I_S

V_IN

–0.3 < V_IN< V_S– 2.5

– 55 to 150

T_J/T_stg

Junction and Storage Temperature Range

°C

THERMAL DATA

Symbol

Parameter

Thermal Resistance Junction-alumina

SO16

DIP16

Value

R_{th j-amb}

Max

°C/W

PIN CONNECTION (Top view)

2/12

123 4 5 6 7...12

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