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L7C199DMB35

更新时间： 2024-09-28 19:21:47

品牌	Logo	应用领域
逻辑 - LOGIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	290K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28

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L7C199DMB35 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP28,.3
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.26	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	长度：	35.56 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	4.953 mm	最大待机电流：	0.005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.11 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
L7C199DME20	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7C199HC20	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28
L7C199IC10L	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
L7C199IC12L	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
L7C199IC15	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C199IC15L	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
L7C199IC20	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
L7C199IC20L	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
L7C199IC25	ETC	获取价格	x8 SRAM
L7C199IC25L	ETC	获取价格	x8 SRAM