是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QLCC |
包装说明: | QCCN, LCC28,.35X.55 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 12 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN; HIGH IMPEDANCE WRITE | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-CQCC-N28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 16KX4 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QCCN |
封装等效代码: | LCC28,.35X.55 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 1.905 mm | 最大待机电流: | 0.00025 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.145 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8.89 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
L7C162KMB15 | LOGIC |
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Standard SRAM, 16KX4, 15ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 | |
L7C162KMB85 | LOGIC |
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Memory IC | |
L7C162KME10 | ETC |
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x4 SRAM | |
L7C162KME12 | ETC |
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x4 SRAM | |
L7C162KME15 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 15ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28 | |
L7C162KME20 | LOGIC |
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Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28 | |
L7C162KME25 | ETC |
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x4 SRAM | |
L7C162KME35 | LOGIC |
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Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28 | |
L7C162KME45 | LOGIC |
获取价格 |
Memory IC | |
L7C162KME85 | LOGIC |
获取价格 |
Memory IC |