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L6116MMB15L

更新时间: 2024-02-27 03:38:36
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 731K
描述
x8 SRAM

L6116MMB15L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DFP包装说明:DFP, FL24,.4
针数:24Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:15 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CDFP-F24JESD-609代码:e0
长度:16.002 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DFP
封装等效代码:FL24,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:2.286 mm最大待机电流:0.00015 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.16 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:9.017 mmBase Number Matches:1

L6116MMB15L 数据手册

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