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L6116MMB20

更新时间: 2024-02-09 21:16:25
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 731K
描述
x8 SRAM

L6116MMB20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DFP包装说明:DFP, FL24,.4
针数:24Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:20 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CDFP-F24
JESD-609代码:e0长度:16.002 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:2KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DFP封装等效代码:FL24,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B座面最大高度:2.286 mm
最大待机电流:0.00005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.135 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:9.017 mm
Base Number Matches:1

L6116MMB20 数据手册

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