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L6116LHMB25

更新时间： 2024-09-26 21:07:39

品牌	Logo	应用领域
逻辑 - LOGIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	767K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24

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L6116LHMB25 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP24,.6	针数：	24
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T24	JESD-609代码：	e0
长度：	30.48 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP24,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	4.953 mm	最大待机电流：	0.00005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.115 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
L6116LHMB35	ETC	获取价格	x8 SRAM
L6116LHME12	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 12ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24
L6116LHME15	ETC	获取价格	x8 SRAM
L6116LHME20	ETC	获取价格	x8 SRAM
L6116LHME25	ETC	获取价格	x8 SRAM
L6116LHME35	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24
L6116LIC25	ETC	获取价格	x8 SRAM
L6116LIC35	ETC	获取价格	x8 SRAM
L6116LIM35	ETC	获取价格	x8 SRAM
L6116LIMB20	LOGIC	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERDIP-24