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KMZ10B,112

更新时间： 2024-02-13 12:21:14

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		传感器换能器
页数	文件大小	规格书
9页	65K
描述
Magnetic Field Sensor, MAGNETIC FIELD SENSOR-MAGNETORESISTIVE, -1.25-1.25mT, RECTANGULAR, THROUGH HOLE MOUNT, PLASTIC, SOT-195, 4 PIN

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KMZ10B,112 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, SOT-195, 4 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.57	主体宽度：	1.7 mm
主体高度：	5.1 mm	主体长度或直径：	4.6 mm
外壳：	PLASTIC	滞后：	0.5 mT
JESD-609代码：	e3	最大磁场范围：	1.25 mT
最小磁场范围：	-1.25 mT	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
轴数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
输出：	BRIDGE	输出类型：	DIGITAL VOLTAGE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SIP4,.04,50
封装形状/形式：	RECTANGULAR	电源：	5 V
电阻：	2600 Ω	灵敏度（mV / G）：	4.8 mV/G
传感器/换能器类型：	MAGNETIC FIELD SENSOR,MAGNETORESISTIVE	子类别：	Other Sensors
最大供电电压：	10 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端接类型：	SOLDER
Base Number Matches：	1

KMZ10B,112 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Magnetic ﬁeld sensor

KMZ10B

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-a}

thermal resistance from junction to ambient

180

K/W

CHARACTERISTICS

T_amb= 25 °C; H_x= 3 kA/m; note 1.

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_CC

H_y

bridge supply voltage

magnetic ﬁeld strength

sensitivity

−

−2

kA/m

open circuit, notes 2 and 3 3.2

4.8

mV ⁄ V

----------------

kA ⁄ m

TCV_O

temperature coefﬁcient of

output voltage

V_CC= 5 V;

T_j= −25 to +125 °C

−

−0.4

−

%/K

I_B= 3 mA;

−0.1

%/K

T_j= −25 to +125 °C

R_bridge

bridge resistance

1.6

−

2.6

kΩ

TCR_bridgetemperature coefﬁcient of

bridge resistance

T_bridge= −25 to +125 °C

T_j= −25 to +125 °C

−

0.3

−

%/K

V_offset

offset voltage

−1.5

−3

−

+1.5

mV/V

TCV_offsetoffset voltage drift

µ V ⁄ V

---------------

linearity deviation of output

voltage

H_y= 0 to ±1 kA/m

H_y= 0 to ±1.6 kA/m

H_y= 0 to ±2 kA/m

−

±0.5

±1.7

±2

% FS

MHz

hysteresis of output voltage

operating frequency

0.5

Notes

1. In applications with H_x< 3 kA/m the sensor has to be reset before first operation by application of an auxiliary field

H_x= 3 kA/m.

2. No disturbing field (H_d) allowed; for stable operation under disturbing conditions see Fig.4 (SOAR) and see Fig.5 for

decrease of sensitivity.

(V _Oat H_y= 1.6 kA ⁄ m) – (V_Oat H_y= 0)

3. S =

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------

1.6 × V_CC

1998 Mar 31

1 2 345 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KMZ10B-T	NXP	暂无描述	获取价格
KMZ10C	NXP	Magnetic field sensor	获取价格
KMZ11B1	NXP	Magnetic field sensor	获取价格
KMZ11B1-T	NXP	Magnetic Field Sensor, MAGNETIC FIELD SENSOR-MAGNETORESISTIVE, -2-2mT, RECTANGULAR, SURFAC	获取价格
KMZ11B1T/R	NXP	Magnetic Field Sensor, MAGNETIC FIELD SENSOR-MAGNETORESISTIVE, 1.25-1.25mT, RECTANGULAR, T	获取价格
KMZ11B1T/R	PHILIPS	Sensor/Transducer, Bridge, 8 Pin, Plastic/epoxy	获取价格

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