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KM416C1000B

更新时间： 2024-01-30 19:27:22
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG /
页数 文件大小 规格书
8页 87K
描述
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

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KM416C1000B 数据手册

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KM416C1000B, KM416C1200B  
KM416V1000B, KM416V1200B  
CMOS DRAM  
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode  
DESCRIPTION  
This is a family of 1,048,576 x 16 bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory  
cells within the same row. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (1K Ref. or 4K Ref.), access time (-5,-6 or -7), power  
consumption(Normal or Low power) and package type(SOJ or TSOP-II) are optional features of this family. All of this family have CAS-  
before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh operation is available in L-version. This  
1Mx16 Fast Page Mode DRAM family is fabricated using Samsung's advanced CMOS process to realize high band-width, low power  
consumption and high reliability. It may be used as graphic memory unit for microcomputer, personal computer and portable machines.  
FEATURES  
¡ Ü  
Fast Page Mode operation  
¡ Ü  
Part Identification  
¡ Ü  
2 CAS Byte/Word Read/Write operation  
¡ Ü  
CAS-before-RAS refresh capability  
- KM416C1000B/B-L (5V, 4K Ref.)  
¡ Ü  
RAS-only and Hidden refresh capability  
Self-refresh capability (L-ver only)  
- KM416C1200B/B-L (5V, 1K Ref.)  
- KM416V1000B/B-L (3.3V, 4K Ref.)  
- KM416V1200B/B-L (3.3V, 1K Ref.)  
¡ Ü  
¡ Ü  
¡ Ü  
¡ Ü  
¡ Ü  
TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
Early Write or output enable controlled write  
JEDEC Standard pinout  
¡ Ü  
Active Power Dissipation  
Unit : mW  
5V  
Available in 42-pin SOJ 400mil and 50(44)-pin TSOP(II)  
400mil packages  
3.3V  
Speed  
4K  
1K  
4K  
1K  
¡ Ü  
¡ Ü  
¡ ¾  
Single +5V 10% power supply (5V product)  
-5  
-6  
-7  
396  
360  
324  
576  
540  
504  
605  
550  
495  
880  
825  
770  
¡ ¾  
Single +3.3V 0.3V power supply (3.3V product)  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
¡ Ü  
Refresh Cycles  
RAS  
UCAS  
LCAS  
W
Part  
VCC  
Refresh  
cycle  
Refresh period  
Vcc  
Vss  
Control  
Clocks  
NO.  
VBB Generator  
Normal  
L-ver  
C1000B  
V1000B  
C1200B  
V1200B  
5V  
3.3V  
5V  
Lower  
Data in  
Buffer  
4K  
1K  
64ms  
DQ0  
to  
DQ7  
128ms  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
Lower  
Data out  
Buffer  
16ms  
tPC  
3.3V  
Memory Array  
1,048,576 x16  
Cells  
OE  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Upper  
Data in  
Buffer  
¡ Ü  
Perfomance Range  
DQ8  
to  
DQ15  
A0-A11  
(A0 - A9)*1  
A0 - A7  
Speed  
Remark  
tRAC  
50ns  
60ns  
70ns  
tCAC  
tRC  
Upper  
Data out  
Buffer  
-5  
-6  
-7  
15ns  
90ns  
35ns 5V/3.3V  
Column Decoder  
(A0 - A9)*1  
15ns 110ns 40ns 5V/3.3V  
20ns 130ns 45ns 5V/3.3V  
Note) *1 : 1K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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