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KFG1216U2A-FED50

更新时间： 2024-01-19 15:30:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
114页 1382K
描述
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

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KFG1216U2A-FED50 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63针数：63
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.86
最长访问时间：76 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE
JESD-30 代码：R-PBGA-B63JESD-609代码：e0
长度：12 mm内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：63
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-30 °C组织：32MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：TIN LEAD
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
类型：NAND TYPE宽度：9.5 mm
Base Number Matches：1

KFG1216U2A-FED50 数据手册

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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB6)  
1.1 Revision History  
FLASH MEMORY  
Document Title  
OneNAND  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
Initial issue.  
Nov. 4, 2004  
Preliminary  
0.1  
1. Corrected Errata  
Dec. 7, 2004  
Preliminary  
2. Revised cache read flow chart  
3. Revised standby current  
4. Revised spare area description  
5. Added CE don’t care state for Asynch Write, Load, Program, and Block  
Erase timing diagram  
0.2  
0.3  
1. Added Copy Back Operation with Random Data Input  
2. Changed tBA from 11ns to 11.5ns  
3. Pended Active Erase Current  
Dec. 24, 2004  
Jan. 13, 2005  
Preliminary  
Preliminary  
1. Corrected the errata  
2. Revised typical value of ISB from 50uA to 10uA  
3. Revised maximum value of ISB from 100uA to 50uA  
4. Revised maximum value of tCE, tAA and tACC from 70ns to 76ns  
5. Revised Vcc-IO description  
6. Revised Spare Area description  
7. Added extra information on Controller Status Register  
8. Added commands related to Interrupt Status Register bits  
9. Revised Write Protection Status on Chapter 3.4.3  
10. Revised Copy-Back Program Operation description  
11. Added extra information on Multi-Block Erase Operation  
12. Disabled FBA restriction in OTP operation  
13. Revised Cache Read Flow Chart  
14. Revised Reset Parameter descriptions  
15. Added RDY information on Warm Reset Timing diagram  
16. Added information on Data Protection Timing During Power Down  
17. Revised Interrupt pin rise and falling slope graph  
18. Added restriction on address register setting on Dual Operations  
19. Added restriction on address register setting on Cache Read Operation  
0.4  
1. Corrected the errata  
Feb. 25, 2005  
Preliminary  
2. Updated DC parameters to RMS values  
3. Added Speed Information on Product Number  
4. Revised tOEZ description  
5. Revised OTP register setting restriction  
6. Added Boot Sequence Infrormation on Technical Notes  
7. Added Cint Information  
3
1234567...114

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