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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> KBU8005-G
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KBU8005-G

更新时间： 2024-01-05 12:08:05
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上华 - COMCHIP /
页数 文件大小 规格书
3页 87K
描述
Silicon Bridge Rectifiers

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KBU8005-G 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：50 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-W4
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：50 V表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

KBU8005-G 数据手册

 浏览型号KBU8005-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KBU8005-G的Datasheet PDF文件第3页 
Silicon Bridge Rectifiers  
KBU8005-G Thru. KBU810-G  
Reverse Voltage: 50 to 1000V  
Forward Current: 8.0A  
RoHS Device  
KBU  
Features  
0.15ΦX23L  
(3.8ΦX5.7L)  
HOLE THRU  
0.157(4.0)*45°  
-Surge overload rating - 200 amperes peak.  
-Ideal for printed circuit board.  
0.935(23.7)  
0.895(22.7)  
300  
(7.5)  
-Plastic material has U/L flammability  
classification 94V-0  
0.700(17.8)  
0.600(16.8)  
0.780(19.8)  
0.740(18.8)  
Mechanical Data  
1.00  
(25.4)  
MIN.  
0.052(1.3)DIA.  
0.048(1.2)TYP.  
-Case: Molded plastic, KBU  
-Mounting position: Any  
-Weight: 7.40grams  
.087(2.2)  
.071(1.8)  
0.220(5.6)  
0.180(4.6)  
0.276(7.0)  
0.256(6.5)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
KBU  
8005-G  
KBU  
801-G  
KBU  
802-G  
KBU  
804-G  
KBU  
806-G  
KBU  
808-G  
KBU  
810-G  
Symbol  
Parameter  
Unit  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
V
Maximum RMS Voltage  
V
DC  
100  
1000  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward  
I(AV)  
8.0  
200  
1.0  
A
A
V
Rectified Output Current  
@Tc=100°C  
Peak Forward Surge Current 8.3ms single  
Half Sine-Wave Super Imposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
Maximum Instantanous Forward Voltage Drop  
per Element at 4.0A  
V
F
@TJ=25°C  
@TJ=100°C  
Maximum Reverse Leakage Current  
At Rate DC Blocking Voltage  
10  
300  
μA  
IR  
Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Notes:  
pF  
C
J
250  
-55 to +125  
-55 to +150  
°C  
°C  
TJ  
TSTG  
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2. Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
REV: A  
Page 1  
QW-BBR79  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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与KBU8005-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KBU8005G-G COMCHIP

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