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KBU801

更新时间: 2024-09-23 22:47:39
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富士电机 - FUJI 整流二极管桥式整流二极管局域网
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1页 645K
描述
8 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER

KBU801 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSIP-W4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.45
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
最小击穿电压:100 V配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-PSIP-W4
最大非重复峰值正向电流:300 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:8 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:0.00001 µA表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

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