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KBU1002

更新时间： 2024-02-15 09:20:53
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虹扬 - HY 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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KBU1002 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.69其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：200 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-W4最大非重复峰值正向电流：240 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：200 V表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

KBU1002 数据手册

 浏览型号KBU1002的Datasheet PDF文件第2页 
KBU10/15/25/35 SERIES  
REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000Volts  
FORWARD CURRENT - 10/15/25/35 Amperes  
SILICON BRIDGE RECTIFIERS  
KBU  
FEATURES  
●Surge overload rating -240~400 amperes peak  
.15 X23L  
Ø
(3.8 X5.7L)  
Ø
HOLE THRU  
.935(23.7)  
.895(22.7)  
●Ideal for printed circuit board  
●Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique  
300  
(7.5)  
.700(17.8)  
.600(16.8)  
.780(19.8)  
.740(18.8)  
●Plastic material has U/L  
flammability classification 94V-0  
●Mounting postition:Any  
1.00  
MIN.  
(25.4)  
.052(1.3)DIA.  
.048(1.2)TYP.  
.087(2.2)  
.220(5.6)  
.071(1.8)  
.180(4.6)  
.276(7.0)  
.256(6.5)  
Dimensions in inches and (milimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
KBU  
KBU  
1001  
1501  
2501  
3501  
KBU  
1002  
1502  
2502  
3502  
KBU  
1004  
1504  
2504  
3504  
KBU  
1006  
1506  
2506  
3506  
KBU  
1008  
1508  
2508  
3508  
KBU  
1010  
1510  
2510  
3510  
10005  
15005  
25005  
35005  
SYMBOL  
UNIT  
CHARACTERISTICS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
30  
50  
100  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
V
V
V
70  
700  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
1000  
10  
Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)  
15  
35  
25  
I(AV)  
A
3.0  
3.2  
Rectified Current  
@ TC=100℃ (without heatsink)  
3.6  
4.2  
KBU  
35  
KBU  
10  
KBU  
15  
KBU  
25  
Peak Forward Surage Current  
400  
300  
400  
240  
IFSM  
A
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)  
Maximum Forward Voltage at 5.0/7.5/12.5/17.5A DC  
VF  
IR  
1.0  
V
1.1  
10  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TJ=25℃  
uA  
500  
@ TJ=125℃  
-55 to+125  
-55 to+125  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
℃
℃
TSTG  
NOTES: 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2.Device mounted on 100mm*100mm*1.6mm cu plate heatsink.  
~ 255 ~  
12

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