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KBJ6M

更新时间： 2024-02-21 08:18:20
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DAESAN /
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2页 231K
描述
CURRENT 6.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts

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KBJ6M 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.6
其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED最小击穿电压：1000 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
湿度敏感等级：2最大非重复峰值正向电流：170 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

KBJ6M 数据手册

 浏览型号KBJ6M的Datasheet PDF文件第2页 
CURRENT 6.0 Amperes  
VOLTAGE 50 to 1000 Volts  
KBJ6A THRU KBJ6M  
Features  
· Glass Passivated Die Construction  
· High Case Dielectric Strength of 1500VRMS  
· Low Reverse Leakage Current  
P
N
A
H
· Surge Overload Rating to 170A Peak  
· Ideal for Printed Circuit Board Applications  
· Plastic Material - UL Flammability Classification 94V-0  
C
B
L
_
M
K
J
E
R
D
G
Mechanical Data  
K B J  
Dim  
A
Min  
Max  
Dim  
J
Min  
3.30  
1.50  
Max  
· Case : Molded Plastic  
· Terminals : Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
24.80  
14.70  
25.20  
15.30  
3.70  
1.90  
B
K
L
C
4.00 Nominal  
9.30  
2.50  
3.40  
4.40  
0.60  
9.70  
2.90  
3.80  
4.80  
0.80  
· Polarity : Molded on Body  
17.20  
0.90  
7.30  
17.80  
1.10  
7.70  
M
N
P
D
· Mounting : Through Hole for #6 Screw  
· Mounting Torque : 5.0 in-Ibs Maximum  
· Weight : 6.6 grams (approx.)  
· Marking : Type Number  
E
G
O
/
O
3.40  
R
H
3.10  
/
All Dimens ions in mm  
Maximum Ratings And Electrical Characteristics  
(Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified, Single phase, half wave 60Hz, resistive or inductive  
load. For capacitive load, derate by 20%)  
KBJ  
6A  
KBJ  
6B  
KBJ  
6D  
KBJ  
6G  
KBJ  
6J  
KBJ  
6K  
KBJ  
6M  
Symbols  
Units  
Peak Repetitive Reverse voltage  
Working Peak Reverse voltage  
DC Blocking voltage  
V
V
V
RMM  
RWM  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
Volts  
R
RMS Reverse voltage  
V
R(RMS)  
280  
6
Volts  
Average Rectified Output Current @ T  
C=110  
Io  
Amps  
℃
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current,  
8.3ms single half-sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
170  
Amps  
VFM  
1.0  
Volts  
Forward Voltage per element  
@ IF=3.0 A  
@ T  
C
=25℃  
5.0  
500  
120  
Peak Reverse Current at Rated  
DC Blocking voltage  
I
R
μA  
@ TC  
=125℃  
I2t Rating for Fusing (t<8.3ms) (Note 1)  
I2t  
A2  
S
Typical Junction Capacitance  
per element (Note 2)  
Cj  
80  
pF  
Typical Thermal Resistance,  
Junction to Case (Note 3)  
6.0  
℃/W  
RθJA  
T
STG  
j
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
℃
T
Notes:  
(1) Non-repetitive, for t > 1.0ms and < 8.3ms.  
(2) Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.  
(3) Thermal Resistance from junction to case per element. Unit mounted on 75 x 75 x 1.6mm copper plate heat sink.  
12

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