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KBJ6K

更新时间： 2024-01-13 18:57:04
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CHENG-YI /
页数 文件大小 规格书
2页 157K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

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KBJ6K 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.6
其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED最小击穿电压：1000 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
湿度敏感等级：2最大非重复峰值正向电流：170 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

KBJ6K 数据手册

 浏览型号KBJ6K的Datasheet PDF文件第2页 
GBJ/KBJ6A thru GBJ/KBJ6M  
SSIILLIICCOONN BBRRIIDDGGEE RREECCTTIIFFIIEERRSS  
GGLLAASSSS PPAASSSSIIVVAATTEEDD  
CCHHEENNGG--YYII  
BBRRIIDDGGEE RREECCTTIIFFIIEERRSS  
ELECTRONIC  
REVERSE VOLTAGE -50 to 1000 Volts  
FORWARD CURRENT -6.0 Amperes  
HIKE FOR NO.  
6 SCRES  
5.16  
FEATURES  
Rating to 1000V PRV  
Ideal for printed circuit board  
Low forward voltage drop, high current capability  
Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique results in  
inexpensive product  
SPACING  
The plastic material has UL  
flammability classification 94V-O  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
0
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
GBJ  
KBJ  
6A  
GBJ  
KBJ  
6B  
GBJ  
KBJ  
6D  
GBJ  
KBJ  
6G  
GBJ  
KBJ  
6J  
GBJ  
KBJ  
6K  
GBJ  
KBJ  
6M  
UNITS  
VRRM  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
VRMS  
VDC  
100  
1000  
6.0  
2.8  
Maximum Average Forward (with heatsink Note2)  
I(AV)  
A
0
Rectified Current @ T =100 C (without heatsink)  
C
Peak Forward Surge Current  
8.3 ms single half sine-wave  
IFSM  
170  
A
superimposed on rated load(JEDEC Method)  
V
1.0  
5.0  
V
F
Maximum DC Forward Voltage at 3.0A DC  
0
=25 C  
T
A
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC Blocking Voltage  
@
@
IR  
A
0
=125 C  
T
A
500  
2
2
2
A S  
I t Rating for fusing (t<8.3ms)  
120  
I t  
C
J
Typical Junction Capacitance per element(Note1)  
Typical Thermal Resistance (Note2)  
Operating Temperature Range  
F
P
55  
0
1.8  
R
JC  
C/W  
0
T
J
-55 to +150  
-55 to +150  
C
0
TSTG  
Storage Temperature Range  
C
NOTE: 1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2. Device mounted on 75mm x 75mm X 1.6mm Cu Plate Heatsink.  
12

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