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KBC00B7A0M-F405

更新时间： 2024-01-08 10:38:21

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
46页	692K
描述
Memory Circuit, Flash+PSRAM+SRAM, Hybrid, PBGA111

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技术参数
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KBC00B7A0M-F405 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA111,12X13,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B111
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	混合内存类型：	FLASH+PSRAM+SRAM
端子数量：	111	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA111,12X13,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.000015 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.045 mA	表面贴装：	YES
技术：	HYBRID	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

KBC00B7A0M-F405 数据手册

Preliminary

MCP MEMORY

KBC00B7A0M

Figure 2. NAND Flash (X16) ARRAY ORGANIZATION

1 Block =32 Pages

= (8K + 256) Word

1 Page = 264 Word

1 Block = 264 Word x 32 Pages

= (8K + 256) Word

1 Device = 264Words x 32Pages x 2048 Blocks

= 264 Mbits

64K Pages

(=2,048 Blocks)

Page Register

(=256 Words)

16 bit

256Word

8 Word

I/O 0 ~ I/O 15

Page Register

256 Word

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

I/O8 to 15

1st Cycle

2nd Cycle

3rd Cycle

Column Address

Row Address

(Page Address)

A10

A18

A11

A19

A12

A20

A13

A21

A14

A22

A15

A23

A16

A24

A17

NOTE : Column Address : Starting Address of the Register.

* L must be set to "Low".

Revision 1.0

September 2003

- 7 -

1...4 5 678 9 10...46

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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KB-C100SURKW	KINGBRIGHT	Single Color LED, ROHS COMPLIANT, PACKAGE-8	获取价格
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