是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 2.6 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 3.3V. | 最大时钟频率 (fCLK): | 250 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 37748736 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 2 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装等效代码: | QFP100,.63X.87 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.5,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.1 A | 最小待机电流: | 2.38 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.46 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7N323631C-QC160 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 1MX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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K7N323631C-QC250 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 1MX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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K7N323631C-QI25T | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100 |
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K7N323645M | SAMSUNG |
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1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM |
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K7N323645M-FC13 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM |
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K7N323645M-FC130 | SAMSUNG |
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暂无描述 |
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K7N323645M-FC150 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 1MX36, 3.8ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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K7N323645M-FC16 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM |
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K7N323645M-FC20 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM |
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K7N323645M-FC22 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX36, 2.8ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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