Datasheet > K6R4008V1B-UP12T

K6R4008V1B-UP12T

更新时间： 2024-10-01 05:32:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	214K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K6R4008V1B-UP12T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	12 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
端子数量：	44	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.0007 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K6R4008V1B-UP12T 数据手册

PRELIMINARY

CMOS SRAM

K6R4008V1B-C/B-L, K6R4008V1B-I/B-P

Document Title

512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating).

Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

Revision History

RevNo.

Rev. 0.0

Rev. 1.0

History

Draft Data

Remark

Initial release with Design Target.

Jan. 1st, 1997

Jun. 1st, 1997

Design Target

Preliminary

Release to Preliminary Data Sheet.

1.1. Replace Design Target to Preliminary.

Rev. 2.0

Release to Final Data Sheet.

2.1. Delete Preliminary.

Feb.11th.1998

Final

2.2. Add 30pF capacitive in test load.

2.3. Relax DC characteristics.

Item

Current

205mA

200mA

195mA

50mA

ICC

10ns

12ns

15ns

f=max.

f=0

VDR=3.0V

170mA

160mA

150mA

40mA

10 / 1mA

0.9mA

ISB

ISB1

IDR

10 / 1.2mA

1.0mA

Rev. 2.1

Rev. 2.2

Change operating current at Industrial Temperature range.

Jun.27th 1998

May. 4th 1999

Final

Previous spec.

(10/12/15ns part)

205/200/195mA

Changed spec.

(10/12/15ns part)

230/225/220mA

Items

Icc

Add 44 pins plastic TSOP(II) forward Package.

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Rev 2.2

May 1999

- 1 -

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与K6R4008V1B-UP12T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6R4008V1B-UP15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
K6R4008V1B-UP15T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44
K6R4008V1C-C	SAMSUNG	获取价格	512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). Operated at Commercial and Industrial Te
K6R4008V1C-C10	SAMSUNG	获取价格	512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). Operated at Commercial and Industrial Te
K6R4008V1C-C12	SAMSUNG	获取价格	512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). Operated at Commercial and Industrial Te
K6R4008V1C-C15	SAMSUNG	获取价格	512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). Operated at Commercial and Industrial Te
K6R4008V1C-I	SAMSUNG	获取价格	512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). Operated at Commercial and Industrial Te
K6R4008V1C-I10	SAMSUNG	获取价格	512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). Operated at Commercial and Industrial Te
K6R4008V1C-I12	SAMSUNG	获取价格	512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). Operated at Commercial and Industrial Te
K6R4008V1C-I15	SAMSUNG	获取价格	512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). Operated at Commercial and Industrial Te

与K6R4008V1B-UP12T相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

31
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

27
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

26
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K6R4008V1B-UP12T

K6R4008V1B-UP12T 技术参数

K6R4008V1B-UP12T 数据手册

与K6R4008V1B-UP12T相关器件

与K6R4008V1B-UP12T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K6R4008V1B-UP12T

K6R4008V1B-UP12T 技术参数

K6R4008V1B-UP12T 数据手册

与K6R4008V1B-UP12T相关器件

与K6R4008V1B-UP12T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？