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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SOJ, SOJ36,.44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 15 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J36 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 36 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ36,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.15 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6R4008V1C-JL12 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 |
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| K6R4008V1C-JL12T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36 |
|
| K6R4008V1C-JL150 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36 |
|
| K6R4008V1C-JL15T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36 |
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| K6R4008V1C-JP120 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36 |
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| K6R4008V1C-L | SAMSUNG |
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512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). Operated at Commercial and Industrial Te |
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| K6R4008V1C-P | SAMSUNG |
获取价格 |
512Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating). Operated at Commercial and Industrial Te |
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| K6R4008V1C-TC10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44 |
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| K6R4008V1C-TC120 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44 |
|
| K6R4008V1C-TC15 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
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