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K4T1G164QD-ZLE7

更新时间： 2023-08-15 00:00:00

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
27页	589K
描述
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84

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K4T1G164QD-ZLE7 数据手册

K4T1G084QD

K4T1G164QD

DDR2 SDRAM

3.2 x16 package pinout (Top View) : 84ball FBGA Package

VDD

DQ14

VDDQ

DQ12

VSS

VSSQ

UDQS

VDDQ

DQ10

UDQS

VSSQ

DQ8

VDDQ

DQ15

VDDQ

DQ13

VSSQ

DQ9

UDM

VDDQ

DQ11

VSSQ

VDD

DQ6

VSS

VSSQ

LDQS

VDDQ

DQ2

VDDQ

DQ7

LDQS

VSSQ

DQ0

VSSQ

DQ1

LDM

VDDQ

DQ3

VDDQ

DQ4

VDDQ

DQ5

VSSQ

VDDL

VREF

CKE

VSS

VSSDL

RAS

VDD

ODT

BA2

VSS

BA0

BA1

CAS

A10/AP

VDD

VSS

A11

VDD

A12

Note :

1. VDDL and VSSDL are power and ground for the DLL.

2. In case of only 8 DQs out of 16 DQs are used, LDQS,

LDQSB and DQ0~7 must be used.

: Populated Ball

Ball Locations (x16)

: Depopulated Ball

Top View (See the balls through the Package)

+ + +

4 of 29

Rev. 1.0 March 2007

1...3 4 567 8 9...27

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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K4T1G164QD-ZLF70	SAMSUNG	DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84	获取价格
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