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K4S510432B-TL750

更新时间: 2024-09-26 07:14:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 149K
描述
Synchronous DRAM, 128MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP-54

K4S510432B-TL750 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:TSOP2,
针数:54Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.28访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G54长度:22.22 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128MX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

K4S510432B-TL750 数据手册

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CMOS SDRAM  
SDRAM 512Mb B-die (x4, x8, x16)  
512Mb B-die SDRAM Specification  
Revision 1.1  
February 2004  
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Rev. 1.1 February 2004  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4S510432B-UC SAMSUNG

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512Mb B-die SDRAM Specification
K4S510432B-UC75 SAMSUNG

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512Mb B-die SDRAM Specification
K4S510432B-UC750 SAMSUNG

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Synchronous DRAM, 128MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE
K4S510432B-UL75 SAMSUNG

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Synchronous DRAM, 128MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54
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Synchronous DRAM, 128MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE
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SDRAM Product Guide
K4S510432D-UC75 SAMSUNG

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Synchronous DRAM, 128MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COM
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Synchronous DRAM, 128MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COM
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Synchronous DRAM, 128MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COM
K4S510432D-UL75 SAMSUNG

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