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K4S28323LE-SC75

更新时间： 2024-02-13 04:07:57

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	80K
描述
Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90

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K4S28323LE-SC75 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
最长访问时间：	6 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	JESD-609代码：	e0
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	端子数量：	90
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	4MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA90,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

K4S28323LE-SC75 数据手册

K4S28323LE-S(D)E/N/S/C/L/R

Mobile-SDRAM

1M x 32Bit x 4 Banks SDRAM in 90FBGA

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

The K4S28323LE is 134,217,728 bits synchronous high data

rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 32

bits, fabricated with SAMSUNG¢s high performance CMOS

technology. Synchronous design allows precise cycle control

with the use of system clock and I/O transactions are possible

on every clock cycle. Range of operating frequencies, program-

mable burst lengths and programmable latencies allow the

same device to be useful for a variety of high bandwidth and

high performance memory system applications.

• 2.5V power supply

• LVCMOS compatible with multiplexed address

• Four banks operation

• MRS cycle with address key programs

- CAS latency (1, 2 & 3)

- Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)

- Burst type (Sequential & Interleave)

• Special Function Support

- Internal TCSR(Temperature Compensated Self Refresh)

- PASR(Partial Array Self Refresh)

•

All inputs are sampled at the positive going edge of the system

clock

ORDERING INFORMATION

Part No.

Max Freq.

Interface Package

• Burst read single-bit write operation

• DQM for masking.

K4S28323LE-S(D)E/N/S/C/L/R60 166MHz(CL=3)

133MHz(CL=3)

K4S28323LE-S(D)E/N/S/C/L/R75

105MHz(CL=2)

90FBGA

• Auto & self refresh

LVCMOS

• 64ms refresh period (4K cycle).

K4S28323LE-S(D)E/N/S/C/L/R1H 105MHz(CL=2)

(Pb Free)

• Extended Temperature Operation (-25°C ~ 85°C).

• Commercial Temperature Operation (-25°C ~ 70°C).

• 90Balls Monolithic FBGA(11mm x 13mm)

• Pb for -SXXX, Pb Free for -DXXX.

K4S28323LE-S(D)E/N/S/C/L/R1L

105MHz(CL=3)

- S(D)E/N/S : Normal/Low/Super Low Power, Extended Temp.

- S(D)C/L/R : Normal/Low/Super Low Power, Commercial Temp.

Note :

1. In case of 40MHz Frequency, CL1 can be supported.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

LWE

Data Input Register

LDQM

Bank Select

1M x 32

DQi

CLK

ADD

Column Decoder

Latency & Burst Length

LCKE

Programming Register

LWCBR

LRAS

LCBR

LWE

LCAS

LDQM

Timing Register

CLK

CKE

RAS

CAS

DQM

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

May. 2003

12 3 4 5 6 7...10

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K4S28323LE-SE750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, FBGA-90
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