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Datasheet > K4M64163LK-BL75

K4M64163LK-BL75 PDF预览

K4M64163LK-BL75

更新时间： 2024-01-11 18:34:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	113K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54

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K4M64163LK-BL75 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
最长访问时间：	5.4 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.115 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

K4M64163LK-BL75 数据手册

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K4M64163LK - R(B)N/G/L/F

Mobile-SDRAM

C. BURST SEQUENCE

1. BURST LENGTH = 4

Initial Address

Sequential

Interleave

A1

0

A0

0

0

1

2

3

1

2

3

0

2

3

0

1

3

0

1

2

0

1

2

3

1

0

3

2

2

3

0

1

3

2

1

0

0

1

1

0

1

1

2. BURST LENGTH = 8

Initial Address

Sequential

Interleave

A2

0

A1

0

A0

0

0

1

2

3

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5

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0

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0

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1

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1

1

12

January 2006

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与K4M64163LK-BL75相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4M64163LK-BN1H0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54
K4M64163LK-BN1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54
K4M64163LK-BN1L0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, LEAD FREE, FBGA-54
K4M64163LK-BN1LT	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54
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K4M64163LK-RF1H0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, FBGA-54
K4M64163LK-RF1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54
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