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JST134V-800T

更新时间： 2023-12-06 19:52:51

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捷捷微 - JJM		可控硅
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10页	1230K
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四象限双向可控硅

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JST134V-800T 数据手册

JST134V-800T

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

FIG.1 Maximum power dissipation versus RMS

FIG.2: RMS on-state current versus case

on-state current

temperature

P(W)

I_T(RMS)(A)

1.2

1.6

104℃

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0.4

0.6

I_T(RMS)(A)

0.8

1.2

100

125

T_C(℃)

FIG.3: RMS on-state current versus ambient

temperature (printed circuit board FR4, copper

thickness: 35μm) (full cycle)

FIG.4: Surge peak on-state current

versus number of cycles

I_TSM(A)

I_T(RMS)(A)

0.9

T_c=25℃,t_p=20ms,one cycle,sine

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

100

125

1.E+0

1.E+1

1.E+2

1.E+3

1.E+4

1.E+5

T_a(℃)

Number

of cycles

FIG.5: On-state characteristics

FIG.6: Non-repetitive surge peak on-state

current for a sinusoidal pulse with width

t_p<20ms, and corresponding value of I²t

SHNCDJDFKVFKPJDFGPSDJFPAJFJOFJOJS

OPGJOPRJGJOSDHSDHHHSEHUISHFSUIH

(Ⅰ-Ⅱ: dI/dt<30A/μs; Ⅲ-Ⅳ: dI/dt<20A/μs)

I_TSM(A), I²t(A²s)

I_TM(A)

Tj=25℃ typ

dI/dt_(I/II)

Tj=25℃ max

100

I_TSM

dI/dt_(III/IV)

Tj=125℃ typ

I²t

0.1

0.5

1.5

V_TM(V)

2.5

0.01

0.1

t_p(ms)

TEL：+86-513-68528666

http://www.jjwdz.com

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