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JS011KC0

更新时间: 2024-02-10 00:58:01
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 506K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247VAR

JS011KC0 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):120 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

JS011KC0 数据手册

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