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JCT1655SJ

更新时间: 2023-12-06 20:09:54
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捷捷微 - JJM 可控硅
页数 文件大小 规格书
8页 900K
描述
标准型单向可控硅

JCT1655SJ 数据手册

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JCT1655SJ  
JieJie Microelectronics CO. , Ltd.  
FIG.1 Maximum power dissipation versus  
FIG.2: RMS on-state current versus case  
RMS on-state current  
temperature  
IT(RMS)(A)  
60  
P(W)  
120  
74  
50  
100  
80  
60  
40  
20  
0
40  
30  
20  
10  
0
0
11  
22  
33  
44  
55  
66  
0
25  
50  
75  
100  
125  
IT(RMS)(A)  
TC()  
V
FIG.3: Surge peak on-state current versus  
number of cycles  
FIG.4: On-state characteristics  
I
TM(A)  
I
TSM(A)  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
Tj=25typ  
Tj=25max  
Tj=125typ  
T =25,tp=10ms,one cycle,half‐sine  
c
100  
10  
1
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
1.E+0  
1.E+1  
1.E+2  
1.E+3  
1.E+4  
1.E+5  
VTM(V)  
Number of cycles  
FIG.5: Non-repetitive surge peak on-state  
current for a sinusoidal pulse with width  
tp<10ms, and corresponding value of I2t  
(dI/dt<200A/μs)  
FIG.6: Relative variations of gate trigger  
current, holding current and latching current  
versus junction temperature  
ITSM(A), I2t(A2s)  
IGT,IH,IL(Tj)/IGT,IH,IL(Tj=25)  
2.5  
ITSM  
IGT  
I2t  
IL&IH  
2
dI/dt  
1000  
1.5  
1
100  
10  
1
0.5  
0
0.01  
0.1  
1
10  
‐40  
‐20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
Tj()  
tp(ms)  
TEL:+86-513-68528666  
http://www.jjwdz.com  
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