江苏捷捷微电子股份有限公司
SDM60Z##
JCT175
○ 概述:
JCT175 是双面台面结构反向阻断高压晶闸管芯片;
主要工艺技术:台面玻璃钝化工艺技术、多层金属化技术等。
○ 产品主要用途:
无功补偿,固态继电器,电力模块等。
○产品极限参数(封装成模块后,除非另有规定,TCASE =25℃)
数值
-18
参数名称
结温范围
测试条件
符号
单位
-16
-20
Tj
-40-125
1800
1800
175
℃
V
断态重复峰值电压
反向重复峰值电压
通态平均电流
通态浪涌电流
I2t 值
Tj=25℃
VDRM
VRRM
1600
1600
2000
2000
Tj=25℃
V
TC=80℃
IT
(
A
)
AV
tp=10mS
tp=10mS
VD=2/3VDRM
tp=200uS
IG=0.3A
ITSM
I2t
4000
80000
A
A2S
通态电流临界上升率
dI/dt
150
A/uS
dIG/dt=0.3A/uS
Tj=125℃
○产品电特性(封装成模块后,除非另有规定,TCASE =25℃)
特性
测试条件
符号
数值
单位
IT=550A
tp=380uS
VD=VDRM
TC=25℃
TC=125℃
VR=VRRM
TC=25℃
TC=125℃
VD=12V
RL=30Ω
IG=1.2 IGT
I T=1A
通态峰值电压
VTM
≤1.8
V
断态峰值电流
IDRM1
IDRM2
≤100
≤30
uA
mA
反向峰值电流
门极触发电流
IRRM1
IRRM2
≤100
≤30
uA
mA
IGT
20-150
mA
擎住电流
维持电流
IL
≤350
≤250
mA
mA
IH
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