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JANKCF1N5807 PDF预览

JANKCF1N5807

更新时间： 2024-01-16 21:17:21
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 49K
描述
6 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS

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JANKCF1N5807 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：S-XUUC-N1针数：1
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.40
风险等级：5.61应用：FAST RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.875 V
JESD-30 代码：S-XUUC-N1JESD-609代码：e0
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：175 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/477最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

JANKCF1N5807 数据手册

 浏览型号JANKCF1N5807的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANKCF1N5807的Datasheet PDF文件第3页 
7516 Central Industrial Drive  
Riviera Beach, Florida  
33404  
PHONE: (561) 842-0305  
FAX: (561) 845-7813  
1N5807  
1N5809  
1N5811  
JANHCE and JANKCE  
JANHCF and JANKCF  
FEATURES:  
·
·
·
·
·
·
·
·
Chip Outline Dimensions: 68 x 68 mils  
Chip Thickness: 8 to 12 mils  
Anode Metallization: Aluminum  
Metallization Thickness: 70,000Ã Nominal  
Bonding Area: 42 x 42 mils Min.  
Back Metallization: Gold-3000Ã Nominal  
6 AMPS  
FAST RECOVERY  
RECTIFIER CHIP  
50 - 150 VOLTS  
Junction Passivated with Thermal Silicon Dioxide - Planar Design  
Backside Available with Solderable Ag Backside as JANHCF or  
JANKCF  
Chip Type: RA  
TYPE  
VR  
VBR  
IO Tj = 75°C  
JANHCE1N5807  
JANHCE1N5809  
JANHCE1N58011  
JANKCE1N5807  
JANKCE1N5809  
JANKCE1N58011  
50V  
100V  
150V  
50V  
100V  
150V  
60V  
110V  
160V  
60V  
110V  
160V  
6.0A  
6.0A  
6.0A  
6.0A  
6.0A  
6.0A  
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
TYPICAL  
MAX.  
UNITS  
Reverse Current  
Rated V , T = 25°C  
I
R
.01  
5
mA  
R
C
Reverse Current  
Rated V , T = 100°C  
I
1.0  
.84  
45  
150  
.875  
60  
mA  
Volts  
Pf  
R
C
R
Forward Voltage Drop I = 4A, T = 25°C  
V
F
F
C
Junction Capacitance @ V = 10V  
Cj  
R
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS:  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
TYPICAL  
MAX.  
UNITS  
Reverse Recovery Time  
I = 1A, I = 1A, I = 0.1A  
Trr  
Vrr  
2.5  
1.5  
30  
2.2  
15  
ns  
V
F
R
RR  
Forward Recovery Voltage @ 1A Tr = 8ns  
Forward Recovery Time  
I
= 500 mA  
ns  
FM  
MSC1345.PDF 02-23-99  
123

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与JANKCF1N5807相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANKCF1N5809 MICROSEMI

获取价格

 		6 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
JANLL3595 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 125V V(RRM), Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS
JANLL3595A MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
JANLL962AUR-1 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 11V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA,
JANLL962BUR-1 MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA,
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 		Zener Diode, 11V V(Z), 20%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA,
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 		Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA,
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 		Zener Diode, 13V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA,
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 		Zener Diode, 13V V(Z), 20%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA,

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