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JANKCA1N5819 PDF预览

JANKCA1N5819

更新时间： 2024-09-21 14:51:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 38K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 45V V(RRM), Silicon, DIE-2

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JANKCA1N5819 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：S-XUUC-N1
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.40
风险等级：5.49Is Samacsys：N
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：S-XUUC-N1
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：1最大输出电流：1 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/586
最大重复峰值反向电压：45 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

JANKCA1N5819 数据手册

 浏览型号JANKCA1N5819的Datasheet PDF文件第2页 
1N5819  
and  
• 1N5819-1 AND 1N6761-1AVAILABLE IN JAN,JANTX, JANTXV,  
AND JANS PER MIL-PRF-19500/586  
DSB5817 and DSB5818  
and  
1N6759 thru 1N6761  
and  
• 1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
• HERMETICALLY SEALED  
• METALLURGICALLY BONDED  
DSB1A20 thru DSB1A100  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -55°C to +125°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
Average Rectified Forward Current: 1.0 AMP @T +55°C, L = 3/8”  
L
Derating: 14 mA / °C above T  
+55°C, L = 3/8”  
L =  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
WORKING PEAK  
MAXIMUM REVERSE  
LEAKAGE CURRENT  
AT RATED VOLTAGE  
CDI  
TYPE  
REVERSE  
VOLTAGE  
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE  
NUMBER  
V
RWM  
V
@0.1A  
V
@1.0A  
V
@3.1A  
I
@25°C  
mA  
I
R
@100°C  
mA  
F
F
F
R
VOLTS  
20  
VOLTS  
0.36  
VOLTS  
0.60  
VOLTS  
0.9  
DSB5817  
DSB5818  
1N5819  
0.10  
0.10  
0.10  
0.05  
5.0  
FIGURE 1  
30  
0.36  
0.60  
0.9  
5.0  
40  
0.36  
0.60  
0.9  
5.0  
DESIGN DATA  
J,JX,JV & JS  
5819-1  
45  
0.34  
0.49  
0.8  
5.0  
1N6759  
1N6760  
1N6761  
60  
80  
0.38  
0.38  
0.38  
0.38  
0.69  
0.69  
0.69  
0.69  
NA  
NA  
NA  
NA  
0.10  
0.10  
0.10  
0.10  
6.0  
6.0  
CASE: Hermetically sealed, DO – 41  
LEAD MATERIAL: Copper clad steel  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
100  
100  
6.0  
J,JX,JV & JS  
6761-1  
12.0  
THERMAL RESISTANCE: (R  
): 70  
OJEC  
°C/W maximum at L = .375 inch  
DSB1A20  
DSB1A30  
DSB1A40  
DSB1A50  
DSB1A60  
DSB1A80  
DSB1A100  
20  
30  
0.36  
0.36  
0.36  
0.36  
0.38  
0.38  
0.38  
0.60  
0.60  
0.60  
0.60  
0.69  
0.69  
0.69  
0.9  
0.9  
0.9  
0.9  
NA  
NA  
NA  
0.10  
0.10  
0.10  
0.10  
0.10  
0.10  
0.10  
5.0  
5.0  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 12  
OJX  
40  
5.0  
50  
5.0  
POLARITY: Cathode end is banded.  
MOUNTING POSITION: Any  
60  
12.0  
12.0  
12.0  
80  
100  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
FAX (978) 689-0803  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
65  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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