是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-7 |
包装说明: | O-LALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.21 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-204AH | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500 |
标称参考电压: | 5.6 V | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 5% |
工作测试电流: | 3 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N5524B | CENTRAL |
功能相似 ![]() |
5.6V,400mW Through-Hole Diode-Zener Single: Low Level |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N5524B-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLAS |
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JAN1N5524BTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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JAN1N5524BUR | MICROSEMI |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
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JAN1N5524BUR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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JAN1N5524BUR-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
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JAN1N5524BURTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
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JAN1N5524BURTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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JAN1N5524C | MICROSEMI |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
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JAN1N5524C-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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JAN1N5524CTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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