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JA100-P

更新时间: 2024-02-20 19:30:25
品牌 Logo 应用领域
东电化 - TDK 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 65K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

JA100-P 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.79其他特性:TO-18 PIN CONFIGURATION AVAILABLE
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:6 pF
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):135JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):130 MHz
VCEsat-Max:0.65 VBase Number Matches:1

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