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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> J310
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J310

更新时间： 2024-10-01 22:33:23
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安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管PC
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8页 163K
描述
JFET VHF/UHF Amplifiers

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by J308/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel — Depletion  
1 DRAIN  
Motorola Preferred Devices  
3
GATE  
2 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Drain–Source Voltage  
Gate–Source Voltage  
Forward Gate Current  
Symbol  
Value  
Unit  
1
V
25  
25  
10  
Vdc  
Vdc  
DS  
GS  
GF  
2
3
V
CASE 29–04, STYLE 5  
TO–92 (TO–226AA)  
I
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
–65 to +125  
–65 to +150  
°C  
°C  
J
T
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
–25  
—
—
Vdc  
(BR)GSS  
(I = –1.0 µAdc, V  
DS  
= 0)  
G
Gate Reverse Current  
I
GSS  
(V  
GS  
(V  
GS  
= –15 Vdc, V  
= –15 Vdc, V  
= 0, T = 25°C)  
—
—
—
—
–1.0  
–1.0  
nAdc  
µAdc  
DS  
DS  
A
= 0, T = +125°C)  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
(V = 10 Vdc, I = 1.0 nAdc)  
V
Vdc  
GS(off)  
J308  
J309  
J310  
–1.0  
–1.0  
–2.0  
—
—
—
–6.5  
–4.0  
–6.5  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
(1)  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
mAdc  
DSS  
(V  
DS  
= 10 Vdc, V  
= 0)  
J308  
J309  
J310  
12  
12  
24  
—
—
—
60  
30  
60  
GS  
Gate–Source Forward Voltage  
(V = 0, I = 1.0 mAdc)  
V
GS(f)  
—
—
1.0  
Vdc  
DS  
G
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Common–Source Input Conductance  
Re(y )  
is  
mmhos  
(V  
DS  
= 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 100 MHz)  
J308  
J309  
J310  
—
—
—
0.7  
0.7  
0.5  
—
—
—
D
Common–Source Output Conductance  
(V = 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 100 MHz)  
Re(y  
)
—
0.25  
—
mmhos  
dB  
os  
DS  
Common–Gate Power Gain  
(V = 10 Vdc, I = 10 mAdc, f = 100 MHz)  
D
G
—
16  
—
pg  
DS  
D
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
3.0%.  
Motorola, Inc. 1997  
12345678

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