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J202ZL1

更新时间： 2024-10-02 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
34页	318K
描述
40V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN

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J202ZL1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.19	Is Samacsys：	N
其他特性：	EUROPEAN PART NUMBER	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	40 V	FET 技术：	JUNCTION
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

J202ZL1 数据手册

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

N–Channel — Depletion

1 DRAIN

GATE

2 SOURCE

CASE 29–04, STYLE 5

TO–92 (TO–226AA)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Drain–Source Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Gate Voltage

Gate–Source Voltage

Gate Current

Vdc

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

310

2.82

mW/°C

Storage Temperature Range

stg

–65 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Symbol

Min

Max

Unit

Gate–Source Breakdown Voltage

(I = –1.0 µAdc)

–40

—

Vdc

(BR)GSS

Gate Reverse Current

–100

–4.0

GSS

= –20 Vdc)

Gate Source Cutoff Voltage

(V = 20 Vdc, I = 10 nAdc)

–0.8

Vdc

GS(off)

ON CHARACTERISTICS

(1)

Zero–Gate–Voltage Drain Current

0.9

4.5

—

mAdc

mhos

DSS

= 20 Vdc)

SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS

(1)

Forward Transfer Admittance

(V = 20 Vdc, f = 1.0 kHz)

1000

1. Pulse Width

2.0 ms.

REV 1

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

4–141

12 3 4 5 6 7...34

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