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J109

更新时间： 2024-01-28 00:48:49

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安森美 - ONSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	441K
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N 沟道开关

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J109 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.6	其他特性：	LOW INSERTION LOSS
配置：	SINGLE	最大漏源导通电阻：	12 Ω
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	15 pF
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

J109 数据手册

J109, MMBFJ108

TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS (continued)

1000

100

= 0 PULSED

= 5 V

= 100 mV

= 100 mA

@ V = 15 V, I = 10 nA

GS(off)

100

−1

−10

100

−10

, GATE CUTOFF VOLTAGE (V)

GS(off)

Figure 4. Drain ON Resistance

Figure 5. Drain Current vs.

Gate−Source Cut−Off Voltage

100

= 10 V

T = 25°C

BW = 6.0 Hz @ f = 10 Hz, 100 Hz

= 1.5 V

= −12 V

= 0.21 @ f ≥ 1.0 kHz

= 30 mA

= 10 mA

= 1.0 mA

= 10 mA

0.01

0.03

0.1

0.5

−2

−4

−6

−8

−10

f, FREQUENCY (Hz)

GS(off)

, GATE CUTOFF VOLTAGE (V)

Figure 6. Noise Voltage vs. Frequency

Figure 7. Switching Turn−On Time vs.

Gate−Source Cut−Off Voltage

100

VGS = 0 V

= −8.5 V

= −5.5 V

GS(off)

= 125°C

25°C

VGS(off) = −2.9 V

= −3.5 V

GS(off)

−55°C

VGS(off) = −4.0 V

= 25°C

= 1.5 V

= −12 V

100

I , DRAIN CURRENT (mA)

Figure 8. Switching Turn−On Time vs. Drain Current

Figure 9. On Resistance vs. Drain Current

www.onsemi.com

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