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J108-18

更新时间： 2024-01-14 15:11:06

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威世 - VISHAY		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	69K
描述
Transistor

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J108-18 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.9	FET 技术：	JUNCTION
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

J108-18 数据手册

J/SST108 Series

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Capacitance vs. Gate-Source Voltage

Transconductance vs. Drain Current

100

= –4 V

GS(off)

V_DS= 0 V

f = 1 MHz

= –55_C

25_C

125_C

iss

V_DS= 5 V

f = 1 kHz

rss

–4

–8

–12

–16

–20

100

100 k

100

V_GS– Gate-Source Voltage (V)

– Drain Current (mA)

Forward Transconductance and Output Conductance

vs. Gate-Source Cutoff Voltage

Noise Voltage vs. Frequency

200

100

and g @ V_DS= 5 V

_GS= 0 V, f = 1 kHz

V_DS= 5 V

160

120

I_D= 10 mA

40 mA

–2

–4

–6

–8

–10

100

1 k

10 k

_GS(off)– Gate-Source Cutoff Voltage (V)

f – Frequency (Hz)

Gate Leakage Current

Common Gate Input Admittance

100 nA

10 nA

1 nA

100

= 125_C

5 mA

I =10 mA

1 mA

I_GSS@ 125_C

= 25_C

100 pA

10 pA

1 pA

5 mA

1 mA

10 mA

= 25_C

_DG= 20 V

_D= 20 mA

@ 25_C

GSS

0.1

f – Frequency (MHz)

_DG– Drain-Gate Voltage (V)

Document Number: 70231

S-04028—Rev. E, 04-Jun-01

www.vishay.com

7-4

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