Datasheet > J106-18-E3

J106-18-E3

更新时间： 2024-01-06 14:04:30

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	67K
描述
Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

J106-18-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	FET 技术：	JUNCTION
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	135 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

J106-18-E3 数据手册

J105/106/107

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

On-Resistance and Drain Current

vs. Gate-Source Cutoff Voltage

On-Resistance vs. Drain Current

2 .0

r_DS@ I_D= 10 mA, V_GS= 0 V

I_DSS@ V_DS= 10 V, V_GS= 0 V

= 25_C

1.6

1.2

0.8

0.4

V_GS(off)= –3 V

r_DS

I_DSS

–5 V

–8 V

–2

–4

–6

–8

–10

100

I_D– Drain Current (mA)

1000

V_GS(off)– Gate-Source Cutoff Voltage (V)

On-Resistance vs. Temperature

Output Characteristics

500

I_D= 10 mA

_DSchanges X 0.7%/_C

V_GS(off)= –5 V

= 0 V

400

300

–0.5 V

–1.0 V

V_GS(off)= –3 V

–1.5 V

–2.0 V

–5 V

200

–8 V

–2.5 V

–3.0 V

100

–55 –35 –15

85 105 125

– Temperature (_C)

V_DS– Drain-Source Voltage (V)

Turn-On Switching

Turn-Off Switching

independent of device V_GS(off)

d(off)

t approximately independent of I_D

V_DD= 1.5 V, R_G= 50 ꢀ

V_GS(L)= –10 V

V_DD= 1.5 V, V_GS(L)= –10 V

@ I_D= 30 mA

d(off)

d(on)

V_GS(off)= –3 V

@ I_D= 10 mA

V_GS(off)= –8 V

d(on)

–2

–4

–6

–8

–10

V_GS(off)– Gate-Source Cutoff Voltage (V)

I_D– Drain Current (mA)

Document Number: 70230

S-04028—Rev. D, 04-Jun-01

www.vishay.com

7-3

1 234 5 6

下载PDF

与J106-18-E3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
J106D26Z	TI	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92	获取价格
J106D27Z	TI	暂无描述	获取价格
J106D74Z	TI	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92	获取价格
J106D75Z	TI	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92	获取价格
J106-E3	VISHAY	Transistor	获取价格
J106J05Z	TI	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92	获取价格