是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DIP-8 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.35 | 高边驱动器: | NO |
接口集成电路类型: | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
长度: | 9.59 mm | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
输出特性: | 3-STATE | 输出极性: | INVERTED |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 250 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.7 mm |
最大压摆率: | 3 mA | 最大供电电压: | 35 V |
最小供电电压: | 4.5 V | 标称供电电压: | 18 V |
表面贴装: | NO | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
断开时间: | 0.075 µs | 接通时间: | 0.075 µs |
宽度: | 7.62 mm |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IXDD614SI | CLARE | 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
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IXDD614SI | IXYS | Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, PDSO8, SOIC-8 |
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IXDD614SITR | IXYS | Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, PDSO8, SOIC-8 |
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IXDD614SITR | CLARE | 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
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IXDD614YI | CLARE | 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
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IXDD614YI | IXYS | Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, PSSO5, TO-263, 5 PIN |
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